MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SCT3160KLGC11 singoli
Specificità
Numero del pezzo:
SCT3160KLGC11
Produttore:
Semiconduttore di Rohm
Descrizione:
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione
Specifiche SCT3160KLGC11
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | SiCFET (carburo di silicio) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 17A (TC) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 5.6V @ 2.5mA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 42nC @ 18V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 398pF @ 800V |
Vgs (massimo) | +22V, -4V |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | 103W (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 208 mOhm @ 5A, 18V |
Temperatura di funzionamento | 175°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247N |
Pacchetto/caso | TO-247-3 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable