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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON2400 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Descrizione:
MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B
Numero del pezzo:
AON2400
Produttore:
Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

Specifiche AON2400

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 8V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 8A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 750mV @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1645pF @ 4V
Vgs (massimo) ±5V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 2.8W (tum)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 11 mOhm @ 8A, 2.5V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-DFN-EP (2x2)
Pacchetto/caso 6-UDFN ha esposto il cuscinetto
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare AON2400

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON2400 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON2400 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON2400 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON2400 singoli

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