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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMG4468LFG singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
DMG4468LFG
Produttore:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

Specifiche di DMG4468LFG

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 7.62A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 18.85nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 867pF @ 10V
Vgs (massimo) -
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 990mW (tum)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 15 mOhm @ 11.6A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore U-DFN3030-8
Pacchetto/caso 8-PowerUDFN
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di DMG4468LFG

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMG4468LFG singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMG4468LFG singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMG4468LFG singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMG4468LFG singoli

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