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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-100,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-100,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-100,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-100,112
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF7G24L-100,112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18DB SOT502A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche BLF7G24L-100,112

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.3GHz ~ 2.4GHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 28A
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 20W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF7G24L-100,112

Rilevazione

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