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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF7G24L-140,118
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche BLF7G24L-140,118

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.3GHz ~ 2.4GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 28A
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.3A
Uscita elettrica 30W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF7G24L-140,118

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G24L-140,118

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