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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-245AVZ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-245AVZ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-245AVZ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-245AVZ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLC8G27LS-245AVZ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLC8G27LS-245AVZ

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.5GHz ~ 2.69GHz
Guadagno 14.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 56W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1251-2
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-1251-2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLC8G27LS-245AVZ

Rilevazione

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