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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF8G20LS-140GVQ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF8G20LS-140GVQ

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.81GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 35W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1244B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1244B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G20LS-140GVQ

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-140GVQ

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