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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > BLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF6G10S-45K, 118
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 23DB SOT608B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF6G10S-45K, 118 specifiche

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 922.5MHz ~ 957.5MHz
Guadagno 23dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 13A
Figura di rumore -
Corrente - prova 350mA
Uscita elettrica 1W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-608B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-608B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G10S-45K, 118 che imballano

Rilevazione

BLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G10S-45K, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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