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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-000245-025000

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MAGX-000245-025000
Produttore:
Soluzioni di tecnologia di M/A-Com
Descrizione:
TRANSISTOR RF 25W GAN
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MAGX-000245-025000

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 2.5GHz
Guadagno 12dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 3A
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 25W
Tensione - stimata 32V
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MAGX-000245-025000

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-000245-025000Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-000245-025000Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-000245-025000Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-000245-025000

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MOQ:
Negotiable