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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF7G22L-200,112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche BLF7G22L-200,112

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.62A
Uscita elettrica 55W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF7G22L-200,112

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-200,112

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