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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > BLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF7G20L-250P, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18DB SOT539A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF7G20L-250P, 112 specifiche

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 1.81GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 65A
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.9A
Uscita elettrica 70W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF7G20L-250P, 112 che imballano

Rilevazione

BLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF7G20L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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