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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF6G27-100,118
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V SOT502A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche BLF6G27-100,118

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 29A
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 14W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF6G27-100,118

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G27-100,118

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