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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF6G24-180PN, 112
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF6G24-180PN, 112 specifiche

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2GHz ~ 2.2GHz
Guadagno 17.5dB
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica 50W
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G24-180PN, 112 che imballano

Rilevazione

BLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G24-180PN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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