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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BG

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BG

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BG
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BG
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
ARF466BG
Produttore:
Microsemi Corporation
Descrizione:
FET N CH 1000V 13A TO264 di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di ARF466BG

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor N-Manica
Frequenza 40.68MHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 150V
Valutazione corrente 13A
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica 150W
Tensione - stimata 1000V
Pacchetto/caso TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-264
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di ARF466BG

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BGChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BGChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BGChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF466BG

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