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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD85006 L-E Field Effect Transistor

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD85006 L-E Field Effect Transistor

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD85006 L-E Field Effect Transistor
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD85006 L-E Field Effect Transistor
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PD85006L-E
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
POTERE POWERFLAT5X5 DEL TRASPORTO RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

PD85006 L-E Specifications

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 870MHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 13.6V
Valutazione corrente 2A
Figura di rumore -
Corrente - prova 200mA
Uscita elettrica 5W
Tensione - stimata 40V
Pacchetto/caso 8-PowerVDFN
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerFLAT™ (5x5)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

PD85006 L-E Packaging

Rilevazione

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