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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD85025STR-E

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD85025STR-E

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD85025STR-E
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD85025STR-E
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PD85025STR-E
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
FET POWERSO-10RF DEL TRASPORTO RF N-CH
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di PD85025STR-E

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 870MHz
Guadagno 17.3dB
Tensione - prova 13.6V
Valutazione corrente 7A
Figura di rumore -
Corrente - prova 300mA
Uscita elettrica 10W
Tensione - stimata 40V
Pacchetto/caso PowerSO-10RF ha esposto il cuscinetto inferiore (2 cavi diritti)
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerSO-10RF (cavo diritto)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di PD85025STR-E

Rilevazione

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