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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD84008-E

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD84008-E

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD84008-E
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PD84008-E
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PD84008-E
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
FET RF 25V 870MHZ
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di PD84008-E

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 870MHz
Guadagno 16.2dB
Tensione - prova 7.5V
Valutazione corrente 7A
Figura di rumore -
Corrente - prova 250mA
Uscita elettrica 2W
Tensione - stimata 25V
Pacchetto/caso PowerSO-10RF ha esposto il cuscinetto inferiore (2 cavi formati)
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerSO-10RF (cavo formato)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di PD84008-E

Rilevazione

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