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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLS8G2731LS-400PU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLS8G2731LS-400PU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLS8G2731LS-400PU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLS8G2731LS-400PU
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLS8G2731LS-400PU
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 13DB SOT539B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLS8G2731LS-400PU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 3.1GHz
Guadagno 13dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 200mA
Uscita elettrica 400W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT539B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLS8G2731LS-400PU

Rilevazione

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