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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGHV96050F1
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
FET RF 100V 9.6GHZ 440210
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche CGHV96050F1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 7.9GHz ~ 9.6GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 40V
Valutazione corrente 13A
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 32W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso 440210
Pacchetto del dispositivo del fornitore 440210
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare CGHV96050F1

Rilevazione

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