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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLS7G2325L-105,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLS7G2325L-105,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLS7G2325L-105,112
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLS7G2325L-105,112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
Trasporto RF PWR LDMOS 105W SOT502A
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Serie:
*
Introduzione

Specifiche BLS7G2325L-105,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor -
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLS7G2325L-105,112

Rilevazione

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