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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLS6G3135-20,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLS6G3135-20,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLS6G3135-20,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLS6G3135-20,112
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLS6G3135-20,112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche BLS6G3135-20,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 3.1GHz ~ 3.5GHz
Guadagno 15.5dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente 2.1A
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 20W
Tensione - stimata 60V
Pacchetto/caso SOT-608A
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLS6G3135-20,112

Rilevazione

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