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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF6G27LS-40P, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF6G27LS-40P, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 17.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 450mA
Uscita elettrica 12W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1121B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G27LS-40P, 112 che imballano

Rilevazione

BLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27LS-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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