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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGHV60075D5
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
Il HEMT 50V del MOSFET di RF MUORE
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche CGHV60075D5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 6GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 125mA
Uscita elettrica 75W
Tensione - stimata 150V
Pacchetto/caso Muoia
Pacchetto del dispositivo del fornitore Muoia
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare CGHV60075D5

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV60075D5

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