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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9L30U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9L30U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9L30U
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9L30U
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF2425M9L30U
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF2425M9L30U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.45GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 20mA
Uscita elettrica 30W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1135A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1135A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF2425M9L30U

Rilevazione

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