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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006D

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006D

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006D
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006D
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGHV1J006D
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
Il HEMT 40V del MOSFET di RF MUORE
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di CGHV1J006D

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 18GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 40V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 30mA
Uscita elettrica 6W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso Muoia
Pacchetto del dispositivo del fornitore Muoia
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGHV1J006D

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1J006D

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