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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP6300HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP6300HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP6300HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP6300HR5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRFE6VP6300HR5
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRFE6VP6300HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 230MHz
Guadagno 26.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 300W
Tensione - stimata 130V
Pacchetto/caso NI-780-4
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRFE6VP6300HR5

Rilevazione

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