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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPTB00004A

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPTB00004A

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPTB00004A
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPTB00004A
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
NPTB00004A
Produttore:
Soluzioni di tecnologia di M/A-Com
Descrizione:
HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di NPTB00004A

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 0Hz ~ 6GHz
Guadagno 14.8dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 1.4A
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 4W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SOIC
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NPTB00004A

Rilevazione

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