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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120F
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120F
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGH40120F
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
FET RF 84V 4GHZ 440193
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di CGH40120F

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 0Hz ~ 4GHz
Guadagno 19dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 28A
Figura di rumore -
Corrente - prova 1A
Uscita elettrica 120W
Tensione - stimata 84V
Pacchetto/caso 440193
Pacchetto del dispositivo del fornitore 440193
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGH40120F

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40120F

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