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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040D

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040D

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040D
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040D
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGHV60040D
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
Il HEMT 50V del MOSFET di RF MUORE
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di CGHV60040D

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 6GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 65mA
Uscita elettrica 40W
Tensione - stimata 150V
Pacchetto/caso Muoia
Pacchetto del dispositivo del fornitore Muoia
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGHV60040D

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60040D

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