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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VS25NR1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VS25NR1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VS25NR1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VS25NR1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRFE6VS25NR1
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 133V 512MHZ TO270-2
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRFE6VS25NR1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 512MHz
Guadagno 25.4dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 10mA
Uscita elettrica 25W
Tensione - stimata 133V
Pacchetto/caso TO-270AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-270-2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRFE6VS25NR1

Rilevazione

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