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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTRA093302DCV1R2XTMA1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTRA093302DCV1R2XTMA1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTRA093302DCV1R2XTMA1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTRA093302DCV1R2XTMA1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PTRA093302DCV1R2XTMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
FET LDMOS 330W H-49248H-4 di IC RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Serie:
*
Introduzione

Specifiche PTRA093302DCV1R2XTMA1

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor -
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare PTRA093302DCV1R2XTMA1

Rilevazione

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