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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HR3

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF8P20100HR3
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF8P20100HR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 2.03GHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 20W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780-4
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8P20100HR3

Rilevazione

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MOQ:
Negotiable