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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HR3
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF8P20100HR3
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF8P20100HR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 2.03GHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 20W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780-4
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8P20100HR3

Rilevazione

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