Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P23080HR5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF8P23080HR5
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione
Specifiche MRF8P23080HR5
| Stato della parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo del transistor | LDMOS (doppio) |
| Frequenza | 2.3GHz |
| Guadagno | 14.6dB |
| Tensione - prova | 28V |
| Valutazione corrente | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - prova | 280mA |
| Uscita elettrica | 16W |
| Tensione - stimata | 65V |
| Pacchetto/caso | NI-780-4 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | NI-780-4 |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable