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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PTRA093302DC V1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
FET LDMOS 330W H-49248H-4 di IC RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Serie:
*
Introduzione

Specifiche di PTRA093302DC V1

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor -
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di PTRA093302DC V1

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PTRA093302DC V1

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