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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTFA211801EV5T350XWSA1

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PTFA211801EV5T350XWSA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
FET LDMOS H-36260-2 DI IC RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Serie:
*
Introduzione

Specifiche PTFA211801EV5T350XWSA1

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor -
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare PTFA211801EV5T350XWSA1

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTFA211801EV5T350XWSA1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTFA211801EV5T350XWSA1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTFA211801EV5T350XWSA1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo PTFA211801EV5T350XWSA1

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MOQ:
Negotiable