Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLL6H0514LS-130,11
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLL6H0514LS-130,11
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione
Specifiche BLL6H0514LS-130,11
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del transistor | LDMOS |
| Frequenza | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| Guadagno | 17dB |
| Tensione - prova | 50V |
| Valutazione corrente | 18A |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - prova | 50mA |
| Uscita elettrica | 130W |
| Tensione - stimata | 100V |
| Pacchetto/caso | SOT-1135B |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | CDFM2 |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballare BLL6H0514LS-130,11
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable