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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF578XR, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF578XR, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 225MHz
Guadagno 23.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 40mA
Uscita elettrica 1400W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF578XR, 112 che imballano

Rilevazione

BLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF578XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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