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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF573S, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF573S, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 225MHz
Guadagno 27.2dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 42A
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 300W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso SOT-502B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT502B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF573S, 112 che imballano

Rilevazione

BLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF573S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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