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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF871S, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 89V 19DB SOT467B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF871S, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 860MHz
Guadagno 19dB
Tensione - prova 40V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 100W
Tensione - stimata 89V
Pacchetto/caso SOT467B
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF871S, 112 che imballano

Rilevazione

BLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF871S, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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