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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G10LS-250,118

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G10LS-250,118

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G10LS-250,118
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G10LS-250,118
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF7G10LS-250,118
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche BLF7G10LS-250,118

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 920MHz ~ 960MHz
Guadagno 19.5dB
Tensione - prova 30V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.8A
Uscita elettrica 60W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT502B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF7G10LS-250,118

Rilevazione

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