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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H0514L-130U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H0514L-130U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H0514L-130U
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H0514L-130U
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLL8H0514L-130U
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLL8H0514L-130U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.2GHz ~ 1.4GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 130W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso SOT-1135A
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLL8H0514L-130U

Rilevazione

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