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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DU
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF888DU
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 104V 21DB SOT539A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF888DU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 860MHz
Guadagno 21dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.3A
Uscita elettrica 250W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF888DU

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DUChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DUChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DUChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DU

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