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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF647PS, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF647PS, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 1.3GHz
Guadagno 17.5dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 200W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1121B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF647PS, 112 che imballano

Rilevazione

BLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF647PS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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