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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF882U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF882U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF882U
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF882U
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF882U
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF882U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 705MHz
Guadagno 20.6dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 200W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF882U

Rilevazione

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