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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-240AVJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-240AVJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-240AVJ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-240AVJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLC8G27LS-240AVJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLC8G27LS-240AVJ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.5GHz ~ 2.69GHz
Guadagno 14dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 56W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1252-1
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1252-1
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLC8G27LS-240AVJ

Rilevazione

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