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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRU
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF182XRU
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF182XRU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 108MHz
Guadagno 28dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 250W
Tensione - stimata 135V
Pacchetto/caso SOT-1121B
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF182XRU

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRUChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRUChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRUChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF182XRU

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