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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > BLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLS6G2731-6G, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 60V 15DB SOT975C di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLS6G2731-6G, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.7GHz ~ 3.1GHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente 3.5A
Figura di rumore -
Corrente - prova 25mA
Uscita elettrica 6W
Tensione - stimata 60V
Pacchetto/caso SOT-975C
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT975C
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLS6G2731-6G, 112 che imballano

Rilevazione

BLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLS6G2731-6G, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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