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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030D

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030D

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030D
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030D
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGH60030D
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
Il HEMT 28V del MOSFET di RF MUORE
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di CGH60030D

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 6GHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 250mA
Uscita elettrica 30W
Tensione - stimata 84V
Pacchetto/caso Muoia
Pacchetto del dispositivo del fornitore Muoia
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGH60030D

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030DChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60030D

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