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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G24LS-150GVJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G24LS-150GVJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G24LS-150GVJ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G24LS-150GVJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF8G24LS-150GVJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF8G24LS-150GVJ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.3GHz ~ 2.4GHz
Guadagno 19dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.3A
Uscita elettrica 45W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1244C
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G24LS-150GVJ

Rilevazione

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