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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1014NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1014NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1014NT1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1014NT1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MMRF1014NT1
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MMRF1014NT1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.96GHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 4W
Tensione - stimata 68V
Pacchetto/caso PLD-1.5
Pacchetto del dispositivo del fornitore PLD-1.5
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MMRF1014NT1

Rilevazione

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